東大 過去問 2012年 物理|AI解答・解説・シミュレーション|アトリエファクトリー

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東京大学 第2次学力試験(前期)2012年 理科「物理」(東京大学がかつて公開したPDFの Internet Archive 保存版)

問題・出題の意図・東京大学の解答例(東京大学の公表資料)

東京大学の利用規定について

東京大学は、入試問題と出題の意図・解答の2次利用について「東京大学第2次学力試験入学試験問題等の2次利用について」(令和6年7月1日改定)で条件を定めている。このサイトでの対応は次のとおり。

解答とシミュレーション(AIで作成)

制作

制作:アトリエファクトリー(aTELiER FACTORY) https://atelierfactory.jp/

修正履歴

お知らせ(2026年10月4日)

解答・解説・シミュレーションは、すべて Claude Opus 5.5 で作成しています。作ったあとの確かめ方は、科目によって違います。

どの科目も、東京大学が公表した解答ではありません。くわしくは「問題取得方法と回答生成方法」をご覧ください。

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物 理

第1問 高低差が h の水平面Hと水平面Lの間になめらかな斜面があり,東西方向の断面は図1—1のようになっている。水平面Lの東端には南北にのびる鉛直な壁がある。ここで小球の衝突実験を行った。すべての小球は面から離れることなく進み,互いに弾性衝突するものとし,小球と壁も弾性衝突するものとする。重力加速度の大きさを g とし,小球の大きさや回転,摩擦や空気抵抗は無視して以下の設問に答えよ。

Ⅰ 図1—1のように,水平面Hで質量 m の小球Aを東向きに速さ v で滑らせ,質量 M の小球Bを西向きに速さ v で滑らせて衝突させたところ,衝突後に小球Aは西向きに進み,小球Bは静止した。

(1) 衝突後の小球Aの速さを求めよ。

(2) 質量の比 Mm を求めよ。

図1—1
図1—1
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Ⅱ 図1—2のように,水平面Hで前問の小球Aと小球Bを東向きに同じ速さ v0 で滑らせたところ,小球Bは壁で跳ね返り,水平面Lからの高さが x の斜面上の点で小球Aと衝突した。その後,小球Aは斜面を上がって水平面H上の最初の位置を速さ vf で西向きに通過し,一方,小球Bは壁と斜面の間を往復運動した。

(1) 2つの小球が衝突する直前の小球Aの速さを vA,小球Bの速さを vB とする。速さの比 vAvB を求めよ。

(2) x を v0,vf,h,g を用いて表せ。

図1—2
図1—2
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Ⅲ 前問の小球Bが,水平面Lから高さ h10 の地点と壁との間を東西方向に往復運動しているとき,図1—3のように小球Bをねらって質量 M2 の小球Cを水平面H上の点から発射した。水平面L上で小球Cはうまく小球Bに命中し,その後小球Bが壁で跳ね返ってから,小球Cと小球Bが両方とも水平面Hまで上ってきた。2つの小球は同じ速さ 19gh5 で距離を ℓ に保ったまま水平面H上を同じ向きに進んだ。その方向は西から北に向けての角度を α とすると sinα=219 であった。

(1) 壁で跳ね返ったあとの小球Bの水平面Lでの運動の向きは,西から北に向けて角度 β であった。tanβ を求めよ。

(2) 小球Bと小球Cが衝突した地点の壁からの距離 d を求めよ。

(3) 水平面H上で発射したときの小球Cの速さ V を求めよ。

(4) 小球Cを発射した方向を東から北に向けて角度 θ とする。sinθ を求めよ。

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図1—3
図1—3
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第2問 図2—1のように,xy 平面上に置かれた縦横の長さがともに 2a の回路を一定の速さ v で x 軸正方向に動かす。回路の左下の点Pと右下の点Qは常に x 軸上にあり,点Qの座標を (X,0) とする。磁束密度 B の一様な磁場が,y<x の領域にのみ紙面に垂直にかけられている。導線の太さ,抵抗およびコンデンサーの素子の大きさ,導線の抵抗および回路を流れる電流が作る磁場の影響は無視できるものとして,以下の設問に答えよ。

Ⅰ まず,図2—1に示した抵抗値 R の抵抗と導線からなる正方形の回路を用いる。

(1) 0<X<2a のときに回路を流れる電流の大きさを求めよ。

(2) 0<X<2a のときに回路が磁場から受ける力の x 成分を求めよ。

(3) 2a<X<4a のときに回路が磁場から受ける力の x 成分を求めよ。

Ⅱ 次に,設問Ⅰで用いた回路を複数の抵抗を含む回路に取り替える。

(1) 図2—2に示した抵抗値 R の抵抗を2つ含む回路を用いた場合に対して,a<X<2a のときにPQ間の導線を流れる電流の大きさを求めよ。

(2) 図2—3に示した抵抗値 R の抵抗を3つ含む回路を用いた場合に対して,a<X<2a のときにPQ間の抵抗を流れる電流の大きさを求めよ。

Ⅲ 最後に,図2—4に示した電気容量 C のコンデンサーと導線からなる回路を用いる。

(1) 0<X<2a のときに導線を流れる電流の大きさを求めよ。

(2) 2a<X<4a のときに回路が磁場から受ける力の x 成分を求めよ。

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図2—1
図2—1
図2—2
図2—2
図2—3
図2—3
図2—4
図2—4
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第3問 複スリットによる光の干渉を利用して気体の屈折率を測定する実験について考えよう。図3のように,透明な二つの密閉容器 C1,C2(長さ d)を,平面A上にある二つのスリット S1,S2(スリット間隔 a)の直前に置き,Aの後方にはスクリーンBを配置する。A,Bは互いに平行であり,その間の距離を L とする。スクリーンB上の座標軸 x を,Oを原点として図3のようにとる。原点Oは S1,S2 から等距離にある。いま,平面波とみなせる単色光(波長 λ)を,密閉容器を通してスリットに垂直に照射すると,スクリーンB上には多数の干渉縞が現れる。密閉容器の壁の厚さは無視して,以下の設問に答えよ。

Ⅰ 密閉容器 C1,C2 両方の内部を真空にした場合,光源から二つのスリット S1,S2 までの光路長は等しいため,単色光は S1,S2 において同位相である。

(1) スクリーンB上の点Pの x 座標を X,S1 とPの距離を ℓ1,S2 とPの距離を ℓ2 としたとき,距離の差 Δℓ=|ℓ1−ℓ2| を,a,L,X を用いて表せ。ただし,L は a や |X| よりも十分に大きいものとする。なお,|h| が1よりも十分小さければ,1+h≒1+h2 と近似できることを利用してよい。

(2) 点Pに明線があるとき,X を a,L,λ,および整数 m を用いて表せ。

Ⅱ C2 の容器内を真空に保ったまま,C1 の容器内に気体をゆっくりと入れ始めた。一般に,絶対温度 T,圧力 p の気体の屈折率と真空の屈折率との差は,その気体の数密度(単位体積あたりの気体分子の数)ρ に比例する。

(1) 容器内の気体の圧力が p で絶対温度が T のとき,その気体の数密度 ρ を p,T,k(ボルツマン定数)を用いて表せ。ただし,この気体は理想気体とみなしてよい。

(2) 温度を一定に保ったまま C1 の容器内に気体を入れて圧力を上げると,スクリーンB上の干渉縞は,x 軸の正方向,負方向のどちらに移動するか。理由を付けて答えよ。

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Ⅲ C2 の容器内を真空に保ったまま,C1 の容器を絶対温度 T,1気圧(101.3kPa)の気体で満たした。このときの気体の屈折率を n とする。

(1) C1 の容器が真空状態から絶対温度 T,1気圧の気体で満たされるまでに,それぞれの明線はスクリーンB上を距離 ΔX だけ移動した。気体の屈折率 n を,ΔX を用いて表せ。

(2) (1)で,原点Oを N 本の暗線が通過した後,明線が原点Oにきて止まった。気体の屈折率 n を,N を用いて表せ。

(3) 気体の屈折率を精度よく求めるには,測定値の正確さが重要になる。いま,(1)で測定した ΔX は 0.1mm の正確さで測定でき,(2)で測定した N は1本の正確さで数えられるとするとき,気体の屈折率は(1)の方法,(2)の方法のどちらが精度よく求められると考えられるか。理由を付けて答えよ。ただし,d=2.5×102mm,L=5.0×102mm,a=5.0mm,λ=5.0×10−4mm とすること。

図3
図3